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Spezifikation

Artikelnummer

1N6169A
Hersteller / Marke

Semtech
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TVS DIODE 98.8V 178.8V AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

1N6169A.pdf
Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)

98.8V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp

178.8V
Spannung - Aufteilung (min.)

123.5V
Art

Zener
Supplier Device-Gehäuse

Axial
Serie

-
Stromleitungsschutz

No
Power - Peak Pulse

1500W (1.5kW)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Axial
Andere Namen

1N6169AS
Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)

8.4A
Kapazität @ Frequenz

-
Bidirektionale Kanäle

1
Anwendungen

General Purpose

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1N6168

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 172.9V AXIAL

Hersteller: Semtech

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1N6168AUS

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi

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1N6169

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.3V AXIAL

Hersteller: Semtech

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1N6170AUS

Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi

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1N6169US

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi

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1N6168US

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 172.9V

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.3V

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V AXIAL

Hersteller: Semtech

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1N6170

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.2V AXIAL

Hersteller: Semtech

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1N6170A

Beschreibung: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation

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1N6169AUS

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 178.8V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 178.8V

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V AXIAL

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 178.8V AXIAL

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V

Hersteller: Semtech

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Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V

Hersteller: Semtech

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