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S6F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S6F
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S6F.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    S6FS
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 2A Through Hole Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    27pF @ 5V, 1MHz

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Zahlung
Das Folgende sind "S6F" -Einziper.
MDO1200-16N1

MDO1200-16N1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV Y1-CU

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
GP2D005A120C

GP2D005A120C

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
STPS30SM100SG-TR

STPS30SM100SG-TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
1N4001GPE-E3/73

1N4001GPE-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3C R7G

ES3C R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UFR3020

UFR3020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 30A DO4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SF36G B0G

SF36G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S6F

S6F

Beschreibung: SWITCH TOGGLE DPDT 20A 125V

Hersteller: NKK Switches
vorrätig
RFQ
MBRF1690HC0G

MBRF1690HC0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 16A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SS133T-72

1SS133T-72

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GL34K-TP

GL34K-TP

Beschreibung: DIODE GP 800V 500MA MINI MELF

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
VS-HFA08TB60S-M3

VS-HFA08TB60S-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
PR6004-T

PR6004-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBRS3201T3G

MBRS3201T3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-HFA04TB60SL-M3

VS-HFA04TB60SL-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBR1030

MBR1030

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
MBR120VLSFT1

MBR120VLSFT1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4007GHR1G

1N4007GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5550

1N5550

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
VS-C4PU3006L-N3

VS-C4PU3006L-N3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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