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USC1306

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    USC1306
  • Hersteller / Marke
    Semtech
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    USC1306.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 5A Through Hole Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    20µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    90pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "USC1306" -Einziper.
MA2YD2100L

MA2YD2100L

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 15V 1A MINI2

Hersteller: Panasonic Electronic Components
vorrätig
RFQ
RL106-N-0-3-AP

RL106-N-0-3-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-405

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
USCSOFT-KIT

USCSOFT-KIT

Beschreibung: USC COMM CABLE + SOFTWARE

Hersteller: Carlo Gavazzi
vorrätig
RFQ
NRVBS360BT3G

NRVBS360BT3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FFSP1665A

FFSP1665A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GPA806HC0G

GPA806HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
USC1105

USC1105

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 2.1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
F1T7GHA0G

F1T7GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS5G M6G

HS5G M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
R5001010XXWA

R5001010XXWA

Beschreibung: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SGL41-40/96

SGL41-40/96

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SJPA-H3V

SJPA-H3V

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SJP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
USC1106

USC1106

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2.1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
VS-SD823C25S30C

VS-SD823C25S30C

Beschreibung: DIODE MODULE 2.5KV 910A B-43

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N3957GP-E3/54

1N3957GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1SS394TE85LF

1SS394TE85LF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
USC1104

USC1104

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2.1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
MBR360

MBR360

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
F1857D1600

F1857D1600

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 55A MODULE

Hersteller: Crydom
vorrätig
RFQ
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