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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1C5822.T
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6524358

1C5822.T

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$0.675
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$0.524
1000+
$0.413
2000+
$0.386
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1C5822.T
  • Hersteller / Marke
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1C5822.T.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    700mV @ 9.4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    40V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    1655-1803
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 40V 3A Surface Mount Die
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.5mA @ 40V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    265pF @ 5V, 1MHz

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Das Folgende sind "1C5822.T" -Einziper.
1C5UM

1C5UM

Beschreibung: 1C5UM5A CIRCUIT BREAKER C CHAR 1

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
1C50UL

1C50UL

Beschreibung: 1C50UL 50A CIRCUIT BREAKER C CHA

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
1C5UR

1C5UR

Beschreibung: 1C5UR 5A MCB C CHAR 1 P 277VAC U

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
BAT43WS-TP

BAT43WS-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
VS-41HFR40

VS-41HFR40

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTX1N3070UR-1

JANTX1N3070UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1C50UM

1C50UM

Beschreibung: 1C50UM 50A CIRCUIT BREAKER C CHA

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
1C50DL

1C50DL

Beschreibung: 1C50DL 50A CIRCUIT BREAKER C CHA

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
1C5711.T

1C5711.T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 1MA DIE

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1C5DL

1C5DL

Beschreibung: 1C5DL 5A CIRCUIT BREAKER C CHAR

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
CR3F-060 TR

CR3F-060 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-8EWF02STRR-M3

VS-8EWF02STRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
6TQ035STRR

6TQ035STRR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 6A D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1C5UL

1C5UL

Beschreibung: CIR BRKR THRM-MAG 5A LEVER

Hersteller: Altech Corporation
vorrätig
RFQ
SF24G B0G

SF24G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-10WQ045FNTRLPBF

VS-10WQ045FNTRLPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-15ETH03-N3

VS-15ETH03-N3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBR5100MFST1G

MBR5100MFST1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1C5819.T

1C5819.T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
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