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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1F5TA
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18010061F5TA-Bild.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

1F5TA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1F5TA
  • Hersteller / Marke
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A R-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1F5TA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-1
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    R-1 (Axial)
  • Andere Namen
    1F5TASMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole R-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1F5TA" -Einziper.
BY253GP-E3/54

BY253GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-150EBU02HF4

VS-150EBU02HF4

Beschreibung: DIODE GP 200V 150A POWERTAB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
EG01CW

EG01CW

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
VS-41HFR120

VS-41HFR120

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SR515 B0G

SR515 B0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS25LHRTG

SS25LHRTG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CD214A-R11600

CD214A-R11600

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO214AC

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
EGP50B-E3/54

EGP50B-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1F5-TP

1F5-TP

Beschreibung: DIODE GPP FAST 1A R-1

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
RGP10J-E3/73

RGP10J-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VSKE320-04

VSKE320-04

Beschreibung: DIODE GP 400V 320A MAGNAPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SBR05U40CSP-7

SBR05U40CSP-7

Beschreibung: DIODE SBR 40V 500MA WLB1006

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FFH30S60STU

FFH30S60STU

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4003GPE-E3/53

1N4003GPE-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DNA30E2200PZ

DNA30E2200PZ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RS1PG-E3/85A

RS1PG-E3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JAN1N4458

JAN1N4458

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
VS-70HFR60M

VS-70HFR60M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SSL14HM2G

SSL14HM2G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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