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GBPC3506WTA

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2500+
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$1.291
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GBPC3506WTA
  • Hersteller / Marke
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GBPC3506WTA.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    600V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 17.5A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    GBPC-W
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    4-Square, GBPC-W
  • Andere Namen
    1655-1876
    1655-1876-1
    1655-1876-1-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    5 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBPC-W
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    35A

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GBPC3506W/1

GBPC3506W/1

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 35A 600V GBPC-W

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBPC3506W-E4/51

GBPC3506W-E4/51

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 35A 600V GBPCW

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBPC3508T

GBPC3508T

Beschreibung: DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GBPC3508

GBPC3508

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GBPC3506W

GBPC3506W

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 600V 35A GBPCW

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GBPC3506W

GBPC3506W

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 35A 600V GBPC-W

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GBPC3508M T0G

GBPC3508M T0G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-M

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GBPC3506T

GBPC3506T

Beschreibung: DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-T/W

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GBPC3508-G

GBPC3508-G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPC

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
GBPC3508W

GBPC3508W

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPCW

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
GBPC3506W

GBPC3506W

Beschreibung: DIODE BRIDGE 600V 35A GBPC-W

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
GBPC3506W T0G

GBPC3506W T0G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GBPC3506M T0G

GBPC3506M T0G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-M

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GBPC3508-E4/51

GBPC3508-E4/51

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 35A 800V GBPC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBPC3506TA

GBPC3506TA

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBPC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
GBPC3508TA

GBPC3508TA

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
GBPC3508/1

GBPC3508/1

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 35A 800V GBPC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GBPC3506W-G

GBPC3506W-G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 600V 35A GBPCW

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
GBPC3508 T0G

GBPC3508 T0G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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GBPC3508

GBPC3508

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 800V 35A GBPC

Hersteller: Diodes Incorporated
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