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Zuhause > Produkte > Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren > Programmierbare Oszillatoren > SIT8009BIE11-33E

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SIT8009BIE11-33E-Bild.

SiTime

SIT8009BIE11-33E

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Spezifikation

Artikelnummer

SIT8009BIE11-33E
Hersteller / Marke

SiTime
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V EN/DS
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIT8009BIE11-33E.pdf
Spannungsversorgung

2.97 V ~ 3.63 V
Art

XO (Standard)
Spread-Spectrum-Bandbreite

-
Größe / Dimension

0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Serie

SiT8009B
Bewertungen

-
Programmierbarer Typ

Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes)
Verpackung / Gehäuse

4-SMD, No Lead
Ausgabe

HCMOS, LVCMOS
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Höhe

0.032" (0.80mm)
Funktion

Enable/Disable
Häufigkeitsstabilität (gesamt)

±20ppm
Frequenzstabilität

±20ppm
detaillierte Beschreibung

XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 115MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 2.97 V ~ 3.63 V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
Strom - Versorgung (Max)

7.5mA
Strom - Versorgung (Aufnahme) (max)

4.2mA
Basisresonator

MEMS
Verfügbare Frequenzbereich

115MHz ~ 137MHz

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Das Folgende sind "SIT8009BIE11-33E" -Einziper.

SIT8009BIE21-33E

SIT8009BIE21-33E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE31-25E

SIT8009BIE31-25E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE11-25E

SIT8009BIE11-25E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE31-18E

SIT8009BIE31-18E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIB13-25E-125.000000E

SIT8009BIB13-25E-125.000000E

Beschreibung: OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE21-30E

SIT8009BIE21-30E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE11-28E

SIT8009BIE11-28E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE11-30E

SIT8009BIE11-30E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIB83-33E-125.000000Y

SIT8009BIB83-33E-125.000000Y

Beschreibung: OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE31-28E

SIT8009BIE31-28E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE11-XXE

SIT8009BIE11-XXE

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE21-28E

SIT8009BIE21-28E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE11-18E

SIT8009BIE11-18E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIB13-33E-125.000000E

SIT8009BIB13-33E-125.000000E

Beschreibung: OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE21-25E

SIT8009BIE21-25E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIE21-18E

SIT8009BIE21-18E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS

Hersteller: SiTime

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SIT8009BIB13-25E-125.000000D

SIT8009BIB13-25E-125.000000D

Beschreibung: OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD

Hersteller: SiTime

vorrätig

SIT8009BIB83-33E-125.000000T

SIT8009BIB83-33E-125.000000T

Beschreibung: OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD

Hersteller: SiTime

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SIT8009BIE21-XXE

SIT8009BIE21-XXE

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS

Hersteller: SiTime

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SIT8009BIB13-33E-125.000000D

SIT8009BIB13-33E-125.000000D

Beschreibung: OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD

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