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SIT8009BIE81-18E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIT8009BIE81-18E
  • Hersteller / Marke
    SiTime
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SIT8009BIE81-18E.pdf
  • Spannungsversorgung
    1.62 V ~ 1.98 V
  • Art
    XO (Standard)
  • Spread-Spectrum-Bandbreite
    -
  • Größe / Dimension
    0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
  • Serie
    SiT8009B
  • Bewertungen
    -
  • Programmierbarer Typ
    Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes)
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SMD, No Lead
  • Ausgabe
    HCMOS, LVCMOS
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Höhe
    0.039" (1.00mm)
  • Funktion
    Enable/Disable
  • Häufigkeitsstabilität (gesamt)
    ±20ppm
  • Frequenzstabilität
    ±20ppm
  • detaillierte Beschreibung
    XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 115MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 1.62 V ~ 1.98 V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
  • Strom - Versorgung (Max)
    5.6mA
  • Strom - Versorgung (Aufnahme) (max)
    4.0mA
  • Basisresonator
    MEMS
  • Verfügbare Frequenzbereich
    115MHz ~ 137MHz

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Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS

Hersteller: SiTime
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Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS

Hersteller: SiTime
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Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS

Hersteller: SiTime
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SIT8009BIE71-18E

Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V EN/DS

Hersteller: SiTime
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Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 1.62-1.98V SMD

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Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V SMD

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Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS

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Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS

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Beschreibung: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS

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