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44409251N4003GHR1G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N4003GHR1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4003GHR1G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4003GHR1G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N4003GHR1G" -Einziper.
1N4003GL TR

1N4003GL TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4003G A0G

1N4003G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4003GP-E3/73

1N4003GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4003G B0G

1N4003G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4003G BK

1N4003G BK

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4003G

1N4003G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N4003GP-M3/54

1N4003GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N4003GPE-E3/54

1N4003GPE-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4003GPE-M3/54

1N4003GPE-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4003G-T

1N4003G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4003GPE-E3/53

1N4003GPE-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4003GHB0G

1N4003GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4003GP

1N4003GP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4003GHR0G

1N4003GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4003GP-M3/73

1N4003GP-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4003GP-E3/54

1N4003GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4003G R1G

1N4003G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4003GHA0G

1N4003GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4003G R0G

1N4003G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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1N4003GL-T

1N4003GL-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
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