1N5257B A0G

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Spezifikation

Artikelnummer

1N5257B A0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1N5257B A0G.pdf
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

33V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200mA
Toleranz

±5%
Supplier Device-Gehäuse

DO-35
Serie

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

DO-204AH, DO-35, Axial
Andere Namen

1N5257B A0G-ND
1N5257BA0G
Betriebstemperatur

100°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

58 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 33V 500mW ±5% Through Hole DO-35
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

100nA @ 25V

Das Folgende sind "1N5257B A0G" -Einziper.

1N5257B

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

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Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi

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1N5257B (DO-35)

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Hersteller: Microsemi Corporation

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1N5257A

Beschreibung: ZENER DIODE

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1N5257B BK

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1N5257BTA

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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1N5257B-T

Beschreibung: DIODE ZENER 500MW DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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1N5257B-T

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Hersteller: Diodes Incorporated

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1N5257BTR

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Beschreibung: DIODE ZENER 3.8A 33V DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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1N5256B_T50R

Beschreibung: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Hersteller: Comchip Technology

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1N5257B TR

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Hersteller: Central Semiconductor

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Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

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