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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5391G A0G

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1088814

1N5391G A0G-Bild.

TSC (Taiwan Semiconductor)

1N5391G A0G

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Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

1N5391G A0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1N5391G A0G.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

50V
Supplier Device-Gehäuse

DO-204AC (DO-15)
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse

DO-204AC, DO-15, Axial
Andere Namen

1N5391G A0G-ND
1N5391GA0G
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 50V 1.5A Through Hole DO-204AC (DO-15)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 50V
Strom - Richt (Io)

1.5A
Kapazität @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N5391G A0G" -Einziper.

1N5388CE3/TR13

1N5388CE3/TR13

Beschreibung: DIODE ZENER 200V 5W T18

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N5391GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5391GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5388E3/TR12

1N5388E3/TR12

Beschreibung: DIODE ZENER 200V 5W T18

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N5391GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

1N5388E3/TR8

1N5388E3/TR8

Beschreibung: DIODE ZENER 200V 5W T18

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N5391G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5391-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N5391G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5391S-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N5388CE3/TR8

1N5388CE3/TR8

Beschreibung: DIODE ZENER 200V 5W T18

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N5391-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N5392

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO15

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

1N5391

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

1N5391GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N5391-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N5391G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N5388E3/TR13

1N5388E3/TR13

Beschreibung: DIODE ZENER 200V 5W T18

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N5391GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5391-TP

Beschreibung: DIODE GPP 1.5A DO-15

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

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