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33031041N5393G A0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N5393G A0G

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  • Artikelnummer
    1N5393G A0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5393G A0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AC (DO-15)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Andere Namen
    1N5393G A0G-ND
    1N5393GA0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1.5A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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1N5392GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5393-T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5393G R0G

1N5393G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5393GPHE3/73

1N5393GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5393-E3/54

1N5393-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5393-E3/73

1N5393-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5393-TP

1N5393-TP

Beschreibung: DIODE GPP 1.5A DO-15

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5393GP-E3/54

1N5393GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5393GHA0G

1N5393GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5393GP-E3/73

1N5393GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5393GPHE3/54

1N5393GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5392G-T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5392GHA0G

1N5392GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5393

1N5393

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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1N5392S-T

1N5392S-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5393GHB0G

1N5393GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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1N5393G B0G

1N5393G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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1N5393GHR0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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1N5393G-T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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