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59879391N5407GHA0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N5407GHA0G

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  • Artikelnummer
    1N5407GHA0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5407GHA0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N5407GHA0G" -Einziper.
1N5407G-T

1N5407G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5408

1N5408

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5408-B

1N5408-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5407TA

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
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1N5407G

1N5407G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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1N5407-B

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
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