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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1T2G R0G
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1T2G R0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1T2G R0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1T2G R0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1T2G R0G-ND
    1T2GR0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1T2G R0G" -Einziper.
SF11-AP

SF11-AP

Beschreibung: DIODE GPP SUPER FAST 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
TST30L200CW C0G

TST30L200CW C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CMR1-02 BK

CMR1-02 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBR1035G

MBR1035G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
6A4-T

6A4-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5712UBCC

1N5712UBCC

Beschreibung: SCHOTTKY DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SS19LHR3G

SS19LHR3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HERF1007GAHC0G

HERF1007GAHC0G

Beschreibung: DIODE, HIGH EFFICIENT

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
JAN1N6391

JAN1N6391

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1T2G A0G

1T2G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SBR10U45D1-T

SBR10U45D1-T

Beschreibung: DIODE SBR 45V 10A TO252-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S4K M6G

S4K M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5822 R0G

1N5822 R0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS25HM4G

SS25HM4G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
FDH300TR

FDH300TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1T2G A1G

1T2G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CDBB1150LR-HF

CDBB1150LR-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 1A DO214AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
STTH512FP

STTH512FP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STTH1R02QRL

STTH1R02QRL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
R42160TS

R42160TS

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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