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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1T3G A1G
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1T3G A1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1T3G A1G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1T3G A1G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1T3G A1G-ND
    1T3GA1G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "1T3G A1G" -Einziper.
1T3G R0G

1T3G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FR12BR05

FR12BR05

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1T3G A0G

1T3G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
EGP30F-E3/73

EGP30F-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A GP20

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
CDBB3200-HF

CDBB3200-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
PMEG3002AESFYL

PMEG3002AESFYL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD962

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
SGL41-40-E3/96

SGL41-40-E3/96

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
HSM560J/TR13

HSM560J/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
GP10-4003E-M3/54

GP10-4003E-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
PMEG040V030EPDZ

PMEG040V030EPDZ

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A CFP15

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
RB520G-30 RLG

RB520G-30 RLG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD723

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RBR1LAM60ATFTR

RBR1LAM60ATFTR

Beschreibung: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UH2B-M3/52T

UH2B-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2A SMA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS3P4-E3/85A

SS3P4-E3/85A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VSKE250-12

VSKE250-12

Beschreibung: DIODE GP 1.2KV 250A MAGNAPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SE40PJHM3/87A

SE40PJHM3/87A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2.4A TO277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
MUR860HC0G

MUR860HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-STPS20L15GPBF

VS-STPS20L15GPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 15V 20A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBRH120100R

MBRH120100R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
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