Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1T6G A1G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2967985

1T6G A1G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
15000+
$0.027
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1T6G A1G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1T6G A1G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1T6G A1G-ND
    1T6GA1G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1T6G A1G" -Einziper.
EGP30FHE3/73

EGP30FHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A GP20

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
R5021210RSWA

R5021210RSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
B360A-13

B360A-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SS36HR7G

SS36HR7G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4004GPHE3/73

1N4004GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6844U3

JANTXV1N6844U3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA U3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1T6G A0G

1T6G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS18230R

HS18230R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 180A HALFPAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N3613

JANTX1N3613

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
SCH5000

SCH5000

Beschreibung: DIODE GEN PURP 5KV 500MA AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
HS1AL R3G

HS1AL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1T6G R0G

1T6G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S8MC-13

S8MC-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
VS-10ETS10STRR-M3

VS-10ETS10STRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
LQA08TC600

LQA08TC600

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SFF1005GHC0G

SFF1005GHC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 10A ITO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRX02530-TP

MBRX02530-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 250MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
VS-SD1553C25S30K

VS-SD1553C25S30K

Beschreibung: DIODE MODULE 2.5KV 1650A DO200AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
ES3HBHR5G

ES3HBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RGP30G-E3/54

RGP30G-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.