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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 3A60HB0G
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29907073A60HB0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

3A60HB0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    3A60HB0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    3A60HB0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AC (DO-15)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    27pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "3A60HB0G" -Einziper.
3A60HA0G

3A60HA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
R5020413LSWA

R5020413LSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
3A625

3A625

Beschreibung: BALUN 2.3GHZ-2.7GHZ 50/50 3SMD

Hersteller: Anaren
vorrätig
RFQ
SS310LHRQG

SS310LHRQG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RU 3B

RU 3B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.1A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
3A60 R0G

3A60 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-20ETS12S-M3

VS-20ETS12S-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
GI250-3-M3/54

GI250-3-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S6J

S6J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
VBT2045BP-M3/4W

VBT2045BP-M3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO-263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
3A60 A0G

3A60 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VB20120SG-E3/4W

VB20120SG-E3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
V15P15HM3/I

V15P15HM3/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
10ETF10STRR

10ETF10STRR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
3A60 B0G

3A60 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-50WQ04FNTRRPBF

VS-50WQ04FNTRRPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SB5100-T

SB5100-T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
EGP10F-M3/54

EGP10F-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SSA23LHE3_A/I

SSA23LHE3_A/I

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
3A60HR0G

3A60HR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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