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6A100GHA0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    6A100GHA0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 6A R-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    6A100GHA0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-6
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    R6, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 6A Through Hole R-6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "6A100GHA0G" -Einziper.
6A10G R0G

6A10G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A100G A0G

6A100G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A10TA

6A10TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
6A10GHB0G

6A10GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A10B-G

6A10B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A1

6A1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A10G A0G

6A10G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A10

6A10

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A10-G

6A10-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A10GHR0G

6A10GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A10-TP

6A10-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A1-TP

6A1-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A10-T

6A10-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
6A10GHA0G

6A10GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A10G B0G

6A10G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A100GHB0G

6A100GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A1-T

6A1-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
6A100GHR0G

6A100GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A100G R0G

6A100G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A100G B0G

6A100G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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