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6A80G B0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    6A80G B0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    6A80G B0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-6
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    R6, Axial
  • Andere Namen
    6A80G B0G-ND
    6A80GB0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "6A80G B0G" -Einziper.
EM 2

EM 2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
1N4448

1N4448

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SMD215HE-TP

SMD215HE-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 2A SOD123HE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A80GHA0G

6A80GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A80GHB0G

6A80GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A80G R0G

6A80G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
AU01V

AU01V

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 500MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
VSSC520S-M3/9AT

VSSC520S-M3/9AT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 5A 200V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-8TQ080GSTRLPBF

VS-8TQ080GSTRLPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
6A80G A0G

6A80G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS8P2LHM3/86A

SS8P2LHM3/86A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RB160VYM-40FHTR

RB160VYM-40FHTR

Beschreibung: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
6A8-TP

6A8-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A8

6A8

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A8TA

6A8TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
SF61GHR0G

SF61GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
FR40J02

FR40J02

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 40A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
6A80GHR0G

6A80GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A8-T

6A8-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
CR5F-080 BK

CR5F-080 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A DO201AD

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
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