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2982594BA157GHA0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

BA157GHA0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BA157GHA0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BA157GHA0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "BA157GHA0G" -Einziper.
BA157GHB0G

BA157GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA15218N

BA15218N

Beschreibung: IC OPAMP GP 10MHZ 8SIP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA157-TP

BA157-TP

Beschreibung: DIODE GPP 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BA157G A0G

BA157G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA157GHR1G

BA157GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA15218F-E2

BA15218F-E2

Beschreibung: IC OPAMP GP 10MHZ 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA157GHR0G

BA157GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA157GPHE3/73

BA157GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157G R0G

BA157G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA157GP-E3/54

BA157GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157GP-M3/54

BA157GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BA157GPHE3/54

BA157GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA158-E3/54

BA158-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157GP-E3/73

BA157GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157-E3/73

BA157-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157G B0G

BA157G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA158-E3/53

BA158-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157G R1G

BA157G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA15532F-E2

BA15532F-E2

Beschreibung: IC OPAMP GP 20MHZ 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BA157-E3/54

BA157-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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