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2708372BA158G A0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

BA158G A0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BA158G A0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BA158G A0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    BA158G A0G-ND
    BA158GA0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "BA158G A0G" -Einziper.
BA158-TP

BA158-TP

Beschreibung: DIODE GPP 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BA158G B0G

BA158G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA157GP-M3/54

BA157GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BA157GPHE3/73

BA157GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA158-E3/53

BA158-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157GHR0G

BA157GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA158GHR0G

BA158GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA157GP-E3/54

BA157GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA158GHR1G

BA158GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA157GHR1G

BA157GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA158GPE-E3/54

BA158GPE-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BA158GP-E3/73

BA158GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157GPHE3/54

BA157GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA157GP-E3/73

BA157GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA158GP-E3/54

BA158GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA158G R1G

BA158G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA158-E3/54

BA158-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BA158GHB0G

BA158GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA158GHA0G

BA158GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BA158G R0G

BA158G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

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