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4426381BA159G R0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

BA159G R0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BA159G R0G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 1A
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    BA159G R0G-ND
    BA159GR0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
BA159GHR0G

BA159GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BA159-E3/73

BA159-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159-TP

BA159-TP

Beschreibung: DIODE GPP 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
BA159DGPHE3/54

BA159DGPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159GHB0G

BA159GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BA159GP-E3/73

BA159GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159GP-E3/54

BA159GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159G A0G

BA159G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BA159GPE-E3/54

BA159GPE-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
BA159G B0G

BA159G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BA159G R1G

BA159G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BA159DGP-E3/73

BA159DGP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159-E3/54

BA159-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA158GPHE3/73

BA158GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159DGP-E3/54

BA159DGP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159GPE-E3/73

BA159GPE-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159GHA0G

BA159GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BA159GHR1G

BA159GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BA159DGPHE3/73

BA159DGPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BA159GPE-E3/53

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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