Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAV21W RHG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1132314BAV21W RHG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

BAV21W RHG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.037
6000+
$0.033
15000+
$0.028
30000+
$0.026
75000+
$0.024
150000+
$0.022
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAV21W RHG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAV21W RHG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    250V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123F
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123F
  • Andere Namen
    BAV21W RHGTR
    BAV21W RHGTR-ND
    BAV21WRHGTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    30 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 250V 200mA Surface Mount SOD-123F
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "BAV21W RHG" -Einziper.
BAV21W-7-F

BAV21W-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV21-TR

BAV21-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV21-TAP

BAV21-TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV21W-G RHG

BAV21W-G RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAV21,143

BAV21,143

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV21TR

BAV21TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV21 A0G

BAV21 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAV21HWF-7

BAV21HWF-7

Beschreibung: DIODE GP 200V 200MA SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV21W-G3-08

BAV21W-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV21,133

BAV21,133

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV21W-TP

BAV21W-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAV21W-E3-08

BAV21W-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV21,113

BAV21,113

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV21W-G3-18

BAV21W-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV21W-E3-18

BAV21W-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV21-T50R

BAV21-T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV21W-HE3-08

BAV21W-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV21W-HE3-18

BAV21W-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV21W-7

BAV21W-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV21-T50A

BAV21-T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.