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6060714BYG21M R3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

BYG21M R3G

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$0.069
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BYG21M R3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BYG21M R3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 1.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    120ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    BYG21M R3GTR
    BYG21M R3GTR-ND
    BYG21MR3GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Avalanche
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    13pF @ 4V, 1MHz

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BYG21M-E3/TR

BYG21M-E3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG21M M2G

BYG21M M2G

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BYG21K-M3/TR3

BYG21K-M3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG21KHE3_A/I

BYG21KHE3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG21MHE3/TR

BYG21MHE3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BYG21KHE3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BYG21KHE3_A/H

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG21MHE3_A/H

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG21M-E3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG21M-M3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG21MHE3_A/I

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYG21KHM3/TR

BYG21KHM3/TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BYG21KHE3/TR

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BYG21KHM3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BYG21KHM3_A/I

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYG21KHM3_A/H

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
BYG21M-M3/TR

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG21M/54

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BYG21MHM2G

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