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3041302BYG23M M2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

BYG23M M2G

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  • Artikelnummer
    BYG23M M2G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1.5A
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    65ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    BYG23M M2G-ND
    BYG23MM2G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    19 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
BYG23MHE3_A/I

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG22DHM3_A/H

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG22D-M3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG22DHE3_A/I

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BYG23M-E3/TR

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BYG23M-M3/TR3

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG23M-E3/TR3

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BYG22DHE3_A/H

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BYG23MHE3_A/H

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BYG23MHE3/TR

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BYG22DHE3/TR

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BYG23MHE3/TR3

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG22DHM3_A/I

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BYG22DHE3/TR

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BYG22DHM3/TR

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BYG23M-M3/TR

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BYG23MHM3/TR

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BYG23M R3G

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