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512227BZT55B56 L0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

BZT55B56 L0G

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  • Artikelnummer
    BZT55B56 L0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ZENER 56V 500MW MINI MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BZT55B56 L0G.pdf
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz)
    56V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 10mA
  • Toleranz
    ±2%
  • Supplier Device-Gehäuse
    Mini MELF
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Andere Namen
    BZT55B56 L0G-ND
    BZT55B56L0G
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Impedanz (Max) (Zzt)
    135 Ohms
  • detaillierte Beschreibung
    Zener Diode 56V 500mW ±2% Surface Mount Mini MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 42V

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BZT55B56-GS08

BZT55B56-GS08

Beschreibung: DIODE ZENER 56V 500MW SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BZT55B5V1-GS08

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Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZT55B4V7 L1G

BZT55B4V7 L1G

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 500MW MINI MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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BZT55B5V1 L1G

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Beschreibung: DIODE ZENER 5.1V 500MW MINI MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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BZT55B4V7 L0G

BZT55B4V7 L0G

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 500MW MINI MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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BZT55B51-GS18

BZT55B51-GS18

Beschreibung: DIODE ZENER 51V 500MW SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZT55B4V3-GS08

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BZT55B51-GS08

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BZT55B51 L0G

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Beschreibung: DIODE ZENER 51V 500MW MINI MELF

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BZT55B51 L1G

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Beschreibung: DIODE ZENER 51V 500MW MINI MELF

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BZT55B5V1-GS18

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BZT55B4V3-GS18

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BZT55B5V6-GS08

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BZT55B5V1 L0G

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BZT55B5V6 L0G

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