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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > ES2DAHR3G
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6490270ES2DAHR3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES2DAHR3G

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$0.41
10+
$0.323
100+
$0.222
500+
$0.152
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES2DAHR3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES2DAHR3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ES2DAHR3GCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

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Zahlung
Das Folgende sind "ES2DAHR3G" -Einziper.
ES2DTR

ES2DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES2D/1

ES2D/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2DA R3G

ES2DA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2DHE3_A/I

ES2DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2DV M4G

ES2DV M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2DA M2G

ES2DA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2DA-13-F

ES2DA-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2DHR5G

ES2DHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2DHE3/52T

ES2DHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2DHE3J_A/H

ES2DHE3J_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2DAHM2G

ES2DAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2D-M3/52T

ES2D-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2DHE3/5BT

ES2DHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2D-TP

ES2D-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES2DHM4G

ES2DHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2D-M3/5BT

ES2D-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2DA-13

ES2DA-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2DHE3J/52T

ES2DHE3J/52T

Beschreibung: DIODE ULT FAST 2A 200V DO-214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
ES2DHE3_A/H

ES2DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2DAF

ES2DAF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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