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506019ES2GHR5G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES2GHR5G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES2GHR5G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES2GHR5G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES2GHR5G" -Einziper.
ES2GAHR3G

ES2GAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2GAHM2G

ES2GAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2JHM4G

ES2JHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2JA R3G

ES2JA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2HA R3G

ES2HA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2GHM4G

ES2GHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2GA R3G

ES2GA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2J-LTP

ES2J-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES2J R5G

ES2J R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2JAHM2G

ES2JAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2GHE3/52T

ES2GHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2GHE3/5BT

ES2GHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2GA M2G

ES2GA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2JAHR3G

ES2JAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2GHE3_A/H

ES2GHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2HR5G

ES2HR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2J M4G

ES2J M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2GTR

ES2GTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES2G/1

ES2G/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2GHE3_A/I

ES2GHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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