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3182836ES3DHR7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES3DHR7G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES3DHR7G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES3DHR7G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES3DHR7G" -Einziper.
ES3DB-13-F

ES3DB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3DHE3_A/I

ES3DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3DV V6G

ES3DV V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DPX

ES3DPX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
ES3DHE3_A/H

ES3DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3DHE3J_A/I

ES3DHE3J_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3DV R7G

ES3DV R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3F M6G

ES3F M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DV M6G

ES3DV M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DHM6G

ES3DHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3F R7G

ES3F R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DV V7G

ES3DV V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DHE3/57T

ES3DHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3DBHR5G

ES3DBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DB-13

ES3DB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES3DHE3/9AT

ES3DHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3DVHM6G

ES3DVHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DVHR7G

ES3DVHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3F V6G

ES3F V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DBHM4G

ES3DBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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