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5379610ESH1C R3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ESH1C R3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ESH1C R3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ESH1C R3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    150V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    15ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ESH1C R3GDKR
    ESH1C R3GDKR-ND
    ESH1CR3GDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 150V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 150V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ESH1C R3G" -Einziper.
ESH1BHE3_A/I

ESH1BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1DHE3/5AT

ESH1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1D-E3/61T

ESH1D-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1B-E3/61T

ESH1B-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1D-M3/5AT

ESH1D-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH1DHE3/61T

ESH1DHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1D M2G

ESH1D M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1DHE3_A/H

ESH1DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1D-M3/61T

ESH1D-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1BHE3_A/H

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH158M035AM7AA

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Beschreibung: CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
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ESH1B M2G

ESH1B M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ESH1C-E3/61T

ESH1C-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH1D R3G

ESH1D R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ESH1B-E3/5AT

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ESH1B R3G

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