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F1T3GHR0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    F1T3GHR0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    F1T3GHR0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T4GHA0G

F1T4GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
F1T4G R0G

F1T4G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
F1T3GHA1G

F1T3GHA1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
F1T5G A1G

F1T5G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
F1T4G A0G

F1T4G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
F1T2GHA0G

F1T2GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
F1T3GHA0G

F1T3GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1

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RFQ
F1T4GHA1G

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F1T4GHR0G

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F1T3G A1G

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F1T2GHR0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

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F1T2GHA1G

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F1T5G A0G

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F1T5G R0G

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