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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > GBL005HD2G

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628841

GBL005HD2G-Bild.

TSC (Taiwan Semiconductor)

GBL005HD2G

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vorrätig

10800+

$0.299

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

GBL005HD2G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GBL005HD2G.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)

50V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A
Technologie

Standard
Supplier Device-Gehäuse

GBL
Serie

Automotive, AEC-Q101
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

4-SIP, GBL
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Single Phase
detaillierte Beschreibung

Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBL
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 5V
Strom - Richt (Io)

4A

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Das Folgende sind "GBL005HD2G" -Einziper.

GBL02-M3/45

GBL02-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL02-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL01-M3/51

GBL01-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL02-M3/51

GBL02-M3/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL02HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL01 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL04

GBL04

Beschreibung: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBL01/1

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 4A 100V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL01-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL01HD2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL005 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL005

Beschreibung: DIODE BRIDGE 50V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBL005-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL02 D2G

Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GBL005-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL02-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL01-E3/51

Beschreibung: DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL02

Beschreibung: DIODE BRIDGE 200V 4 A- GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

GBL01-M3/45

GBL01-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

GBL01

GBL01

Beschreibung: DIODE BRIDGE 100V 4A GBL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

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