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6902948GP1003 C0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

GP1003 C0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GP1003 C0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GP1003 C0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    GP1003 C0G-ND
    GP1003C0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Through Hole TO-220-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    10A

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Das Folgende sind "GP1003 C0G" -Einziper.
GP1002HC0G

GP1002HC0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP10-4007EHM3/73

GP10-4007EHM3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
GP1007HC0G

GP1007HC0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP1003HC0G

GP1003HC0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP1006HC0G

GP1006HC0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 800V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP1005 C0G

GP1005 C0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP1005HC0G

GP1005HC0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP1004 C0G

GP1004 C0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP10-4007HM3/73

GP10-4007HM3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
GP1007 C0G

GP1007 C0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP1000SF-0.020-02-0816

GP1000SF-0.020-02-0816

Beschreibung: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GREEN

Hersteller: Bergquist
vorrätig
RFQ
GP1002 C0G

GP1002 C0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP10-4007EHM3/54

GP10-4007EHM3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
GP10-4007HE3/53

GP10-4007HE3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
GP1004HC0G

GP1004HC0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP1001 C0G

GP1001 C0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 50V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP10-4007HM3/54

GP10-4007HM3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
GP1006 C0G

GP1006 C0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 800V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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GP1001HC0G

GP1001HC0G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 50V 10A TO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GP100H3M48TEZ

GP100H3M48TEZ

Beschreibung: GP100H3M54TEZ, 6000W, -54V, 380/

Hersteller: GE Critical Power
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