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5344884HER307G B0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

HER307G B0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HER307G B0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    HER307G B0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Andere Namen
    HER307G B0G-ND
    HER307GB0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    35pF @ 4V, 1MHz

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HER307-TP

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Beschreibung: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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RFQ
HER308G R0G

HER308G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER306G A0G

HER306G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER307-AP

HER307-AP

Beschreibung: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
HER307GT-G

HER307GT-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
HER306-AP

HER306-AP

Beschreibung: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
HER308GA-G

HER308GA-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
HER307GA-G

HER307GA-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
HER308GT-G

HER308GT-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
HER306GT-G

HER306GT-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
HER306G B0G

HER306G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER307G R0G

HER307G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER307G A0G

HER307G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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HER308G A0G

HER308G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER308-AP

HER308-AP

Beschreibung: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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HER306G R0G

HER306G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

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HER308-TP

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HER306-TP

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HER306GA-G

HER306GA-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AA

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HER308G B0G

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