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3085903HERA803G C0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

HERA803G C0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HERA803G C0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    HERA803G C0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Andere Namen
    HERA803G C0G-ND
    HERA803GC0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 8A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    65pF @ 4V, 1MHz

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HERAF1002G C0G

HERAF1002G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 10A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER608-AP

HER608-AP

Beschreibung: DIODE GPP HE 6A R-6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
HERAF1001G C0G

HERAF1001G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HERA806G C0G

HERA806G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HERA802G C0G

HERA802G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER607-TP

HER607-TP

Beschreibung: DIODE GPP HE 6A R-6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
HERA804G C0G

HERA804G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER606G B0G

HER606G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER608-TP

HER608-TP

Beschreibung: DIODE GPP HE 6A R-6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
HER607-AP

HER607-AP

Beschreibung: DIODE GPP HE 6A R-6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
HERA808G C0G

HERA808G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER606G R0G

HER606G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HERAF1003G C0G

HERAF1003G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 10A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HERA801G C0G

HERA801G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HER606-TP

HER606-TP

Beschreibung: DIODE GPP HE 6A R-6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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HER606G A0G

HER606G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HERA807G C0G

HERA807G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HERAF1004G C0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 10A ITO220AC

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HERA805G C0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

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