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543270HS1AL RTG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

HS1AL RTG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HS1AL RTG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    HS1AL RTG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    HS1AL RTG-ND
    HS1ALRTG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "HS1AL RTG" -Einziper.
HS1BL MQG

HS1BL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1BL R3G

HS1BL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1AL RVG

HS1AL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1AL RUG

HS1AL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1BL M2G

HS1BL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1BL RFG

HS1BL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1AL RFG

HS1AL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1AL MQG

HS1AL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1A14SA

HS1A14SA

Beschreibung: SWITCH THMBSTK CASTLE 100MA 30V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
HS1AL MHG

HS1AL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1BL MTG

HS1BL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1AL R3G

HS1AL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1B M2G

HS1B M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1BL MHG

HS1BL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1AL RHG

HS1AL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1AL RQG

HS1AL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1B R3G

HS1B R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1AL MTG

HS1AL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
HS1A24GA

HS1A24GA

Beschreibung: SWITCH THMBSTK CASTLE 10MA 30V

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
HS1AL M2G

HS1AL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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