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229626HS3KB M4G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

HS3KB M4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HS3KB M4G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    HS3KB M4G-ND
    HS3KBM4G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz
HS3J V7G

HS3J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3M M6G

HS3M M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3JB R5G

HS3JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3X3BL6NM

HS3X3BL6NM

Beschreibung: WIRE DUCT SOLID BASE BLACK 6'

Hersteller: Panduit
vorrätig
HS3X3LG6NM

HS3X3LG6NM

Beschreibung: WIRE DUCT SOLID BASE GRAY 6'

Hersteller: Panduit
vorrätig
HS3K M6G

HS3K M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3K V6G

HS3K V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3X3WH6NM

HS3X3WH6NM

Beschreibung: WIRE DUCT SOLID BASE WHITE 6'

Hersteller: Panduit
vorrätig
HS3K R7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3MB R5G

HS3MB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3J V6G

HS3J V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3J R7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3M V6G

HS3M V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3KB R5G

HS3KB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3K V7G

HS3K V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3M R7G

HS3M R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3MB M4G

HS3MB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3GB R5G

HS3GB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS3J M6G

HS3J M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HS3M V7G

HS3M V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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