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KBP103G C2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    KBP103G C2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    KBP103G C2G.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    200V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    KBP
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    4-SIP, KBP
  • Andere Namen
    KBP103G C2G-ND
    KBP103GC2G
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole KBP
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A

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Zahlung
Das Folgende sind "KBP103G C2G" -Einziper.
KBP08M-E4/45

KBP08M-E4/45

Beschreibung: DIODE 1.5A 800V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
KBP101G C2

KBP101G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP104G C2G

KBP104G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP101G C2G

KBP101G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP107G C2

KBP107G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP08ML-6747E4/51

KBP08ML-6747E4/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
KBP106G C2

KBP106G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP106G C2G

KBP106G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP104G C2

KBP104G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP105G C2G

KBP105G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP10G

KBP10G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 1000V 1.5A KBP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
KBP08M-M4/51

KBP08M-M4/51

Beschreibung: RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
KBP08M-E4/51

KBP08M-E4/51

Beschreibung: DIODE 1.5A 800V KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
KBP10M

KBP10M

Beschreibung: IC BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
KBP105G C2

KBP105G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP102G C2G

KBP102G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP107G C2G

KBP107G C2G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP08M-9E4/51

KBP08M-9E4/51

Beschreibung: BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
KBP103G C2

KBP103G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
KBP102G C2

KBP102G C2

Beschreibung: BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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