Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > LL5819 L0G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
563624

LL5819 L0G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5000+
$0.141
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    LL5819 L0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    LL5819 L0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    900mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    40V
  • Supplier Device-Gehäuse
    MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AB, MELF
  • Andere Namen
    LL5819 L0G-ND
    LL5819L0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 40V 1A Surface Mount MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500µA @ 40V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    110pF @ 4V, 1MHz

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

2024/11/27

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

2024/11/26

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

2024/11/25

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "LL5819 L0G" -Einziper.
RS3B-E3/57T

RS3B-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS19L RQG

SS19L RQG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DHG5I600PM

DHG5I600PM

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
MPG06K-E3/73

MPG06K-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S3JBTR

S3JBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
FR107G A0G

FR107G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STPS3L40SY

STPS3L40SY

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
RU 3CV1

RU 3CV1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
BAS70T-TP

BAS70T-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT523

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
MURS480ET3G

MURS480ET3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
EGP30G-E3/54

EGP30G-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FGP20B-E3/54

FGP20B-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
LL5

LL5

Beschreibung: HEX KEY L-SHAPE 5/64" 3.25"

Hersteller: Klein Tools
vorrätig
RFQ
FFSD1065A

FFSD1065A

Beschreibung: 650V 10A SIC SBD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SK3150B-LTP

SK3150B-LTP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 3A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
EGL41FHE3_A/I

EGL41FHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
LL5817 L0G

LL5817 L0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-30BQ100GPBF

VS-30BQ100GPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 3.0A SMC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
LL5818 L0G

LL5818 L0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SSL32HM6G

SSL32HM6G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.