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901429MUR4L40HB0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

MUR4L40HB0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MUR4L40HB0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MUR4L40HB0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.28V @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 4A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
  • Kapazität @ Vr, F
    65pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "MUR4L40HB0G" -Einziper.
MUR4L20HR0G

MUR4L20HR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L40HR0G

MUR4L40HR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L40HA0G

MUR4L40HA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L60 A0G

MUR4L60 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L40 R0G

MUR4L40 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L60HA0G

MUR4L60HA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L60HR0G

MUR4L60HR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L20 B0G

MUR4L20 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L60 B0G

MUR4L60 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L20 R0G

MUR4L20 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR5010

MUR5010

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 50A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MUR4L40 A0G

MUR4L40 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR5005

MUR5005

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 50A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MUR4L60HB0G

MUR4L60HB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L40 B0G

MUR4L40 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L60 R0G

MUR4L60 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR4L20HA0G

MUR4L20HA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MUR5005R

MUR5005R

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MUR4L20 A0G

MUR4L20 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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MUR4L20HB0G

MUR4L20HB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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