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2941412MURF8L60 C0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

MURF8L60 C0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURF8L60 C0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MURF8L60 C0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    ITO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    65ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2 Full Pack
  • Andere Namen
    MURF8L60 C0G-ND
    MURF8L60C0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 8A Through Hole ITO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "MURF8L60 C0G" -Einziper.
MURF40060R

MURF40060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A TO244

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10010R

MURH10010R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF40040R

MURF40040R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200A TO244

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10005R

MURH10005R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF860G

MURF860G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10040

MURH10040

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF40020R

MURF40020R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200A TO244

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF40040

MURF40040

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200A TO244

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF40010R

MURF40010R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200A TO244

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10040R

MURH10040R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10020

MURH10020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10010

MURH10010

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10060

MURH10060

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF860

MURF860

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
MURF550PFG

MURF550PFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 520V 5A TO220FP

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF40020

MURF40020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200A TO244

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10020R

MURH10020R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURH10005

MURH10005

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 100A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF40060

MURF40060

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A TO244

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURF8L60HC0G

MURF8L60HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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