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1016802RS1AL MHG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1AL MHG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1AL MHG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1AL MHG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    RS1AL MHG-ND
    RS1ALMHG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1AL MHG" -Einziper.
RS1AHR3G

RS1AHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AL M2G

RS1AL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AL RUG

RS1AL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AHE3_A/I

RS1AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1AL MTG

RS1AL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AB-13

RS1AB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1AHE3_A/H

RS1AHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1AL RVG

RS1AL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AB-13-F

RS1AB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1AL R3G

RS1AL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AL RHG

RS1AL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AL RFG

RS1AL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AHM2G

RS1AHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AL RTG

RS1AL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AFA

RS1AFA

Beschreibung: DIODE GP 50V 800MA SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1AL MQG

RS1AL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AHE3/61T

RS1AHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1AHE3/5AT

RS1AHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1ALHM2G

RS1ALHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1AL RQG

RS1AL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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