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851208RS1BLHRHG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1BLHRHG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1BLHRHG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1BLHRHG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    150ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    800mA
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1BLHRHG" -Einziper.
RS1D-13

RS1D-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BLHMTG

RS1BLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHRQG

RS1BLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHRUG

RS1BLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHMQG

RS1BLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHRVG

RS1BLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1D R3G

RS1D R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHRFG

RS1BLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHRTG

RS1BLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHMHG

RS1BLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL RTG

RS1BL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1D

RS1D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1BLHR3G

RS1BLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL RVG

RS1BL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BTR

RS1BTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RS1D M2G

RS1D M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BLHM2G

RS1BLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1D-13-F

RS1D-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1BL RUG

RS1BL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1BL RQG

RS1BL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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