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RS1KLHMTG-Bild.

TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1KLHMTG

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Spezifikation

Artikelnummer

RS1KLHMTG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RS1KLHMTG.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)

800V
Supplier Device-Gehäuse

Sub SMA
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

500ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-219AB
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 800V 800mA Surface Mount Sub SMA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 800V
Strom - Richt (Io)

800mA
Kapazität @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1KLHMTG" -Einziper.

RS1KLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KL RUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLS RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KL RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLSHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RS1KL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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