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998155RS1M M2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1M M2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1M M2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS1M M2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    RS1M M2G-ND
    RS1MM2G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1M M2G" -Einziper.
RS1MFS MWG

RS1MFS MWG

Beschreibung: DIODE

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1MFP

RS1MFP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1KLHRVG

RS1KLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KLS RVG

RS1KLS RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KLHRTG

RS1KLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1M-13-F

RS1M-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1M-13

RS1M-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1MDFQ-13

RS1MDFQ-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1MDF-13

RS1MDF-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1KLSHRVG

RS1KLSHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KTR

RS1KTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1MFA

RS1MFA

Beschreibung: DIODE GP 1KV 800MA SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RS1KLW RVG

RS1KLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KLHRUG

RS1KLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KLHRQG

RS1KLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1MB-13

RS1MB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1M R3G

RS1M R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1KLWHRVG

RS1KLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1M

RS1M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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