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4565866S1DFSHMXG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1DFSHMXG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1DFSHMXG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE, 1A, 200V, AEC-Q101, SOD-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    S1DFSHMXG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-128
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-128
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SOD-128
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S1DFSHMXG" -Einziper.
S1DBHR5G

S1DBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DFL

S1DFL

Beschreibung: DIODE GP 200V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1DHR3G

S1DHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DHM2G

S1DHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DL MQG

S1DL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DB-13

S1DB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1DHE3/5AT

S1DHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1DBHM4G

S1DBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DHE3_A/H

S1DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1DBTR

S1DBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S1DL MTG

S1DL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DFSHMWG

S1DFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 200V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DFS MWG

S1DFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 200V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DFS MXG

S1DFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 200V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DHE3_A/I

S1DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1DHE3/61T

S1DHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1DB R5G

S1DB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DB-13-F

S1DB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1DL MHG

S1DL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1DL M2G

S1DL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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