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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S4G V7G
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4105612S4G V7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4G V7G

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1700+
$0.126
2550+
$0.113
5950+
$0.107
21250+
$0.097
42500+
$0.091
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    S4G V7G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S4G V7G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S4G V7GTR
    S4G V7GTR-ND
    S4GV7G
    S4GV7GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S4G V7G" -Einziper.
S110FA

S110FA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SRAF5150 C0G

SRAF5150 C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 5A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S4G R7G

S4G R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BYM13-60HE3/96

BYM13-60HE3/96

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3JBHR5G

S3JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
R43120TS

R43120TS

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
HSM330J/TR13

HSM330J/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCJ

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
CSD04060E

CSD04060E

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
RFQ
1N5400G-T

1N5400G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S4G V6G

S4G V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RGL34J-E3/83

RGL34J-E3/83

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RA201248XX

RA201248XX

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV 4800A PWRDISC

Hersteller: Powerex Inc.
vorrätig
RFQ
SF4006-TAP

SF4006-TAP

Beschreibung: DIODE AVAL 1A 800V SOD-57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4591

1N4591

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 150A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
FFSP1265A

FFSP1265A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-8TQ080STRLHM3

VS-8TQ080STRLHM3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GL MQG

S1GL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBR60100PTE3/TU

MBR60100PTE3/TU

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60A 100V TO-247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
S4G M6G

S4G M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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