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725990S4J M6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4J M6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S4J M6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S4J M6G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S4J M6G-ND
    S4JM6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S4J M6G" -Einziper.
RB751G-40T2R

RB751G-40T2R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
S4J R7G

S4J R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-4EWH02FNTRR-M3

VS-4EWH02FNTRR-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5291-1

1N5291-1

Beschreibung: CURRENT REGULATOR DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
LSM315GE3/TR13

LSM315GE3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 15V 3A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S4J V7G

S4J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GSXD300A170S2D5

GSXD300A170S2D5

Beschreibung: DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
SK520CHR7G

SK520CHR7G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAS34-TR

BAS34-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4J V6G

S4J V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SR1202HA0G

SR1202HA0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 12A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RSX205LAM30TFTR

RSX205LAM30TFTR

Beschreibung: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SCHF7500

SCHF7500

Beschreibung: DIODE GEN PURP 7.5KV 500MA AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
VIT3060G-M3/4W

VIT3060G-M3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO262AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5551

JANTXV1N5551

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RS2DHE3_A/I

RS2DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
CS2K-E3/I

CS2K-E3/I

Beschreibung: DIODE GPP 2A 800V DO-214AA SMB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-72HFR10

VS-72HFR10

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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