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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S4M M6G
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4940822S4M M6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4M M6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S4M M6G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 4A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 4A
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S4M M6G-ND
    S4MM6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
S4M R7G

S4M R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A08-G

6A08-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
S4M V6G

S4M V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S4MF06607BSPZQQ1

S4MF06607BSPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 640KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
S4M

S4M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N4934GP-E3/73

1N4934GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S4MF04207SPZQQ1

S4MF04207SPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 448KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
VS-150SQ045

VS-150SQ045

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 15A DO204AR

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S4MF03107SPZQQ1R

S4MF03107SPZQQ1R

Beschreibung: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
APT15D60KG

APT15D60KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
S2BA M2G

S2BA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
3A60HB0G

3A60HB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N7055UR-1

1N7055UR-1

Beschreibung: SCHOTTKY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
UF4007-E3/54

UF4007-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5408G-T

1N5408G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
VS-HFA25TB60HN3

VS-HFA25TB60HN3

Beschreibung: DIODE HEXFRED 25A 600V TO-220AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N3779

1N3779

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
ES3DHM6G

ES3DHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S4MF03107SPZQQ1

S4MF03107SPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
S4M V7G

S4M V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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