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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S4M R7G
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1591353S4M R7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4M R7G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S4M R7G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S4M R7G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S4M R7GCT
    S4M R7GCT-ND
    S4MR7GCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S4M R7G" -Einziper.
1N5809US.TR

1N5809US.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
FESF8HT-E3/45

FESF8HT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4M V7G

S4M V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CMS21(TE12L,Q,M)

CMS21(TE12L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HS3D M6G

HS3D M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
AS3BJHM3/5BT

AS3BJHM3/5BT

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S4MF03107SPZQQ1

S4MF03107SPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
S4MF06607BSPZQQ1

S4MF06607BSPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 640KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
S4MF04207SPZQQ1

S4MF04207SPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 448KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
RS1PBHE3/84A

RS1PBHE3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4MF03107SPZQQ1R

S4MF03107SPZQQ1R

Beschreibung: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
ACDBMT1200-HF

ACDBMT1200-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 1A SOD123H

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
S4M V6G

S4M V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SR302HB0G

SR302HB0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SR110HR0G

SR110HR0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S4M M6G

S4M M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S4M

S4M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
FGP20BHE3/54

FGP20BHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2KAHM2G

RS2KAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STTH1R04QRL

STTH1R04QRL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO15

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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